Neue Entwärmungskonzepte für Silizium Carbit (SiC) - Transistoren Leistungsklasse 300 Watt

FED vor Ort bei Lackwerke Peters am 27.11.25

Neue Ansätze zur Entwärmung von Siliciumcarbit Halbleitern in Power Modulen. Ergebnisse aus dem F&E Projekt KMU-Innovativ: nanoAVT